SEB4探頭

晶片尺寸 D 或 a ×b

探頭晶片的直徑D或長度×寬度a ×b 。它的尺寸大小對聲波的傳輸有極大的影響 。輕微的偏差，如形狀的偏差,或粘接不良造成的位置偏差而產(chǎn)生的聲能衰減，即使是利用參考缺陷進行標(biāo)定,都將產(chǎn)生嚴(yán)重的評估誤差。

標(biāo)稱頻率f

所有相同類型探頭的均值頻率，頻率對反射體的評定有大的影響 。對斜反射體，頻率甚至影響聲場 波形和反射特性 。隨著頻率的增加，非垂直反射體對聲束的反射回波減小 。這就是為什么每一個探頭都要由我們的質(zhì)量控制部門根據(jù)鑒定標(biāo)準(zhǔn)進行嚴(yán)格檢測，以確定其頻率是否與標(biāo)稱頻率相一致，保證在一定的誤差范圍內(nèi)。這個數(shù)據(jù)輸入到探頭的數(shù)據(jù)參數(shù)表。

帶寬B

脈沖回波的幅值比最高幅值下降6dB之間的頻率范圍。

fo=幅值下降6dB的上限頻率，fu=幅值下降6dB的下限頻率，f為標(biāo)稱頻率。 例如，當(dāng)B=100%， 一個4 MHz的探頭的fo為6 MHz，而fu為2 MHz。

大的帶寬意味著更短的脈沖回波，也就意味著高的分辨率和更好的穿透能力， 因為低頻脈沖比標(biāo)稱頻 率脈沖的衰減小 。在高衰減情形下，與標(biāo)稱頻率相比，隨著距離的增加，反射信號的頻率減小 。這一 點在進行缺陷評估時必須要加以考慮 。因此每一個探頭的帶寬都要進行檢查，并且與所有探頭的平均值相一致，保證在一定的誤差范圍內(nèi)。

焦距F

F ：小缺陷產(chǎn)生蕞大回波時探頭到小缺陷的距離。探頭要進行聚焦以便探測小缺陷并得到蕞大的回波幅值，只有在探頭的近場才可能聚焦。

近場長度N

近場長度N是非聚焦探頭的焦距長度，它是聲軸線上能得到聲壓ji大值的最遠(yuǎn)距離 。N的大小由D 、c 和f來決定 。

其中λ為波長，c為聲速， Deff是單元有效直徑

焦點處和近場長度處聲能最為集中，反射體最易識別。因此重要測試場合一般預(yù)期缺陷在焦距或近場長度處。表中的數(shù)據(jù)對鋼材而言，而水浸探頭為水。

焦點直徑FD6

在焦距或近場長度附近，聲壓值比主聲軸下降6dB處到主聲軸的距離 。

脈沖形狀

來自于平面反射面的信號表述。

頻譜

回波脈沖中所有頻率的顯示，頻率幅值在頻率上顯示。

聲束角度 β

主聲束與檢測面法線之間的夾角